Российские ученые разработали первый в России проект рентгеновского литографа. Об этом сообщает пресс-служба НЦФМ.
Современные чипы производятся методом фотолитографии. В общем виде на подложку наносят материал, после чего «светят» на него видимым светом, УФ или рентгеновским излучением через специальную маску с узором из отверстий. Под действием излучения материал меняет свойства, и все, что не было проэкспонировано, смывается. Таким образом слой за слоем создается сложное переплетение микроскопических электронных элементов. При этом чем меньше длина волны излучения, тем более эффективные микросхемы можно производить с помощью такого литографа.
Теперь специалисты Института физики микроструктур создали проект первого в России литографа, работающего в диапазоне 11,2 нм (рентгеновские лучи).
«Нами предложен проект высокопроизводительного рентгеновского литографа для производства микросхем по передовым технологическим нормам на основе источника излучения с длиной волны 11,2 нм. У нас есть экспериментальные результаты, указывающие на перспективы создания такого источника излучения на основе ксенона. Под него была разработана оптика с высоким коэффициентом отражения – рутениево-бериллиевые зеркала. В составе зеркальной оптической схемы литографа она будет примерно в 1,5 раза эффективнее того, что создано в зарубежных компаниях», — рассказал физик Николай Чхало, работающий над проектом.
У ученых уже сейчас есть экспериментальные образцы источников рентгеновского излучения и масок, прототип микроскопа для масок в EUV-диапазоне. Однако прежде чем проект станет реальностью, необходимо серьезно доработать системы совмещения и сканирования. По оценкам, проект должен завершиться к 2030 году, а в 2023-2024 годах создадут альфа-прототип для отработки всех операций производства.
Ранее инженеры создали онлайн 3D-модель работающей литиевой батареи.