Ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) совместно с зарубежными коллегами открыли сверхпроводниковый диодный эффект (СДЭ), который можно использовать при создании электронных устройств со сверхнизким потреблением. Об этом «Газете.Ru» рассказали в пресс-службе программы Минобрнауки России «Приоритет 2030».
«Мы работаем над изучением новых физических явлений, возникающих на стыке магнетизма и сверхпроводимости. В своей работе мы впервые продемонстрировали возможность переключения направления сверхтока без использования внешнего магнитного поля», — рассказал один из авторов статьи, проректор по научной работе ДВФУ Александр Самардак.
Как сообщили в лаборатории спин-орбитроники ДВФУ, ученые, используя нецентросимметричные многослойные пленки с ферромагнетиками, могут управлять этим эффектом и создавать высокотехнологичные устройства.
Ферромганетики обеспечивают необходимое нарушение симметрии, где только в одном направлении без сопротивления течет суперток. Он позволяет регулировать структурные параметры СДЭ — толщину пленки, порядок укладки и количество повторений.
Такой эффект позволит создавать высокотехнологичную электронику без потерь энергии и логические элементы со сверхнизким энергопотреблением. Например, дальнейшее изучение СДЭ позволит в будущем создать устойчивую батарею, которая не будет разряжаться неделю.
Сейчас СДЭ можно применять в космической отрасли для создания материалов, работающих в условиях сверхнизких температур.
«Одним из препятствий, которые стоят на пути к реализации новых электронных приборов, является использование сверхнизких температур, близких к абсолютному нулю. Однако, уже сейчас сверхрешетки могут быть использованы для создания электронных компонентов, работающих в космосе», – объяснил Самардак.
В будущем с помощью этого эффекта можно создать компонентную базу для суперкомпьютеров, высокотехнологичных медицинских и промышленных устройств.